- Sections
- H - électricité
- H01L - Dispositifs à semi-conducteurs non couverts par la classe
- H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
Détention brevets de la classe H01L 21/8252
Brevets de cette classe: 489
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Intel Corporation | 45621 |
50 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
45 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
22 |
| Skyworks Solutions, Inc. | 3450 |
17 |
| Murata Manufacturing Co., Ltd. | 22355 |
14 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
13 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 165 |
13 |
| QROMIS, Inc. | 87 |
11 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
9 |
| Semiconductor Components Industries, L.L.C. | 5345 |
9 |
| Qorvo US, Inc. | 2018 |
9 |
| Qualcomm Incorporated | 76576 |
8 |
| Raytheon Company | 8535 |
8 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 784 |
8 |
| Cambridge GaN Devices Limited | 30 |
8 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 43934 |
7 |
| Efficient Power Conversion Corporation | 120 |
7 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
7 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10525 |
6 |
| Infineon Technologies Austria AG | 1954 |
5 |
| Autres propriétaires | 213 |